GaAs सब्सट्रेट
विवरण
गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) एक महत्वपूर्ण और परिपक्व समूह III-Ⅴ यौगिक अर्धचालक है, इसका व्यापक रूप से ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स और माइक्रोइलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में उपयोग किया जाता है।GaAs को मुख्य रूप से दो श्रेणियों में विभाजित किया गया है: अर्ध-इन्सुलेटिंग GaAs और N-प्रकार GaAs।सेमी-इंसुलेटिंग GaAs का उपयोग मुख्य रूप से MESFET, HEMT और HBT संरचनाओं के साथ एकीकृत सर्किट बनाने के लिए किया जाता है, जिनका उपयोग रडार, माइक्रोवेव और मिलीमीटर तरंग संचार, अल्ट्रा-हाई-स्पीड कंप्यूटर और ऑप्टिकल फाइबर संचार में किया जाता है।एन-प्रकार GaAs का उपयोग मुख्य रूप से एलडी, एलईडी, निकट अवरक्त लेजर, क्वांटम अच्छी तरह से उच्च-शक्ति लेजर और उच्च दक्षता वाले सौर कोशिकाओं में किया जाता है।
गुण
| क्रिस्टल | डाल दिया गया | चालन प्रकार | प्रवाह की सांद्रता सेमी-3 | घनत्व सेमी-2 | विकास विधि |
| GaAs | कोई नहीं | Si | / | <5×105 | एलईसी |
| Si | N | >5×1017 | |||
| Cr | Si | / | |||
| Fe | N | ~2×1018 | |||
| Zn | P | >5×1017 |
GaAs सब्सट्रेट परिभाषा
GaAs सब्सट्रेट गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) क्रिस्टल सामग्री से बने सब्सट्रेट को संदर्भित करता है।GaAs गैलियम (Ga) और आर्सेनिक (As) तत्वों से बना एक यौगिक अर्धचालक है।
GaAs सबस्ट्रेट्स का उपयोग अक्सर उनके उत्कृष्ट गुणों के कारण इलेक्ट्रॉनिक्स और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक्स के क्षेत्र में किया जाता है।GaAs सबस्ट्रेट्स के कुछ प्रमुख गुणों में शामिल हैं:
1. उच्च इलेक्ट्रॉन गतिशीलता: GaAs में सिलिकॉन (Si) जैसी अन्य सामान्य अर्धचालक सामग्री की तुलना में अधिक इलेक्ट्रॉन गतिशीलता होती है।यह विशेषता GaAs सब्सट्रेट को उच्च-आवृत्ति उच्च-शक्ति इलेक्ट्रॉनिक उपकरणों के लिए उपयुक्त बनाती है।
2. डायरेक्ट बैंड गैप: GaAs में डायरेक्ट बैंड गैप होता है, जिसका मतलब है कि इलेक्ट्रॉनों और छिद्रों के पुनर्संयोजन होने पर कुशल प्रकाश उत्सर्जन हो सकता है।यह विशेषता GaAs सब्सट्रेट्स को प्रकाश उत्सर्जक डायोड (एलईडी) और लेजर जैसे ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए आदर्श बनाती है।
3. वाइड बैंडगैप: GaAs में सिलिकॉन की तुलना में व्यापक बैंडगैप होता है, जो इसे उच्च तापमान पर संचालित करने में सक्षम बनाता है।यह संपत्ति GaAs-आधारित उपकरणों को उच्च तापमान वाले वातावरण में अधिक कुशलता से संचालित करने की अनुमति देती है।
4. कम शोर: GaAs सब्सट्रेट कम शोर स्तर प्रदर्शित करते हैं, जो उन्हें कम शोर एम्पलीफायरों और अन्य संवेदनशील इलेक्ट्रॉनिक अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त बनाते हैं।
GaAs सबस्ट्रेट्स का व्यापक रूप से इलेक्ट्रॉनिक और ऑप्टोइलेक्ट्रॉनिक उपकरणों में उपयोग किया जाता है, जिनमें उच्च गति ट्रांजिस्टर, माइक्रोवेव एकीकृत सर्किट (आईसी), फोटोवोल्टिक सेल, फोटॉन डिटेक्टर और सौर सेल शामिल हैं।
इन सबस्ट्रेट्स को विभिन्न तकनीकों जैसे मेटल ऑर्गेनिक केमिकल वेपर डिपोजिशन (एमओसीवीडी), मॉलिक्यूलर बीम एपिटैक्सी (एमबीई) या लिक्विड फेज़ एपिटैक्सी (एलपीई) का उपयोग करके तैयार किया जा सकता है।उपयोग की जाने वाली विशिष्ट विकास विधि वांछित अनुप्रयोग और GaAs सब्सट्रेट की गुणवत्ता आवश्यकताओं पर निर्भर करती है।
